氮化硅在90-1000K温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。N型材料的霍尔迁移率在200K时约具有10c㎡/V.s的大值，在1000K时大约降到2.5c㎡/V.s、90K时接近于零；P型材料的大值不明显，200K时的迁移率值为70c㎡/V.s，1000K时为30c㎡/V.s。研磨开始阶段因有工件的原始粗糙度及几何形状态误差，工件与研具接触面积较小，使磨粒压下较深。随着研磨时间增加，磨粒压下渐浅，通过工件横截表面的磨粒增多，几何形状误差很快变小而表面光洁度的改善也较快。磨料--主要是因为氮化硅具有很高的硬度，化学稳定性和一定的韧性，所以氮化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自由研磨，从而来加工玻璃、陶瓷、石材、铸铁及某些非铁金属、硬质合 金、钛合金、高速具和砂轮等。
如果细粒所占的数量多，虽然能研磨出很光洁的表面，但切削能力降低，所以，基本颗粒的数量是影响磨料切削能力和保证加工精度的主要因素之一。而磨料粒度的均匀程度，主要看其基本颗粒所占数量的百分比。为此，对磨料颗粒尺寸大小的显微分析，则是检查研磨粉质量的重要内容。SiC可以通过掺杂来形成n型或P型材料。SiC的机械特性比硅好，弹性模量为300-700GPa，非常适合微机械谐振器和滤波器，因为随着弹性模量的增大，其谐振频率也相应提高。在这种条件下，氮化硅的表面逐渐氧化，但并未导致松散。氮化硅质耐火材料的操作效果良好，而用氧化铝(AL2O3 99.5%)、刚玉、二氧化锆以及氧化铍所制成的制品则完全不适用。
非氧化物烧结助剂
除常用的氧化物烧结助剂以外，近年来，制备氮化硅陶瓷，特别是高导热氮化硅陶瓷的一个研究热点是对于非氧化物烧结助剂的研究。
非氧化物烧结助剂的优势在于可以减少额外引入的氧，这对于净化氮化硅晶格，减少晶界玻璃相，提高热导率及高温力学性能具有重要意义。
研究表明，稀土离子半径越小，越有利于烧结。测试结果表明，添加稀土氯化物烧结助剂的氮化硅陶瓷具有优良的机械性能和良好的导热性能，如采用LaCl3－La2O3－MgO复合烧结助剂的氮化硅陶瓷热导率可达78Ｗ·ｍ-１·Ｋ-１，抗弯强度可达1011MPa。
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除稀土氧化物被稀土非氧化物替代作为烧结助剂的研究外，还有一些研究采用Mg的非氧化物替代MgO作为烧结助剂，以达到降低晶格氧含量，提高热导率的目的。
焙烧过程对氮化硅陶瓷的性能有重要影响，作为非氧化物陶瓷，Si3N4是扩散系数低且难以烧结的共价键结合的化合物，通常通过添加烧结助剂，例如MgO，Y2O3.Al2O3.AlN等，在高温下形成液相，加压(热压，大气压或热等静压)或化学反应以促进烧结，反应烧结方法简单，烧结收缩小，成本低。适用于制造结构复杂，尺寸精度高，耐高温，耐腐蚀和电绝缘的结构零件，但机械性能较差，可以通过重新结合来改善氮化硅陶瓷的性能。说到氮化硅陶瓷，相信许多消费者来说对这个你越来说是比较陌生的。近年来随着我国科技的不断提高，我们日常生活中所使用的材料也在发生着更新换代。氮化硅陶瓷，它是一种新型的高科技陶瓷，有着诸多的性能特点，而且非常容易加工，外观效果看起来也非常优美，得到了现在陶瓷行业的青睐。
