光探测器主要参数
◆ 光谱响应度
光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流与入射光功率之比。
光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱响应曲线(响应曲线)。
若将光谱响应曲线的大值做化处理，则得到相对光谱响应曲线。
◆ 等效噪声功率(NEP)
等效噪声功率是信噪比为1时探测器能探测到的辐射功率，即可探测功率。
◆ 探测率(D)/比探测率(D*)
探测率D是NEP的倒数，D越大，表明探测器的探测性能越好。
比探测率D*即是化的探测率，也叫探测灵敏度。其单位为：cm·Hz1/2·W-1.
◆ 时间常数
时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化额速率，τ=1/(2πf)。
光电导探测器
光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。通常，凡禁带宽度合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等;在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。
光谱仪探测器
在选择适合自己的光谱仪时，确定探测器类型和灵敏度是非常重要的一步。光谱仪的探测器类型包括光电二极管（photodiode）、光电倍增管（photomultiplier tube）和CCD（charge-coupled device）等。不同类型的探测器具有不同的优缺点，需要根据测量需求和实际情况进行选择。
其中，光电二极管是一种常用的探测器，具有灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低等优点。但是，它的分辨率相对较低，不适合进行高精度的光谱测量。光电倍增管则具有极-高的增益和灵敏度，可以检测很弱的光信号，但是比较容易受到噪声和不稳定性的影响。CCD则是一种常用的高分辨率探测器，具有的灵敏度和分辨率，适合进行高精度的光谱测量。
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