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探测器
探测器在某些方面决定了光纤光谱仪的分辨率和灵敏度，探测器上的光敏感区原则上是有限的，它被划分为许多小像素用于高分辨率或划分为较少但较大的像素用于高敏感度。通常背感光的CCD探测器灵敏度要更好一些，因此可以某个程度在不灵敏度的情况下获得更好的分辨率。近红外的InGaAs探测器由于本身灵敏度和热噪声较高，采用制冷的方式可以有效提高系统的信噪比。m·u·t 光谱仪依靠来自光学探测器生产商阵容，如Hamamatsu,Thoshiba等产品技术支持。
光探测器主要参数
◆ 光谱响应度
光谱响应度是指某一波长下探测器输出的电压或电流与入射光功率之比。
光谱响应度随波长的变化关系曲线即是探测器的光谱响应曲线(响应曲线)。
若将光谱响应曲线的大值做化处理，则得到相对光谱响应曲线。
◆ 等效噪声功率(NEP)
等效噪声功率是信噪比为1时探测器能探测到的辐射功率，即可探测功率。
◆ 探测率(D)/比探测率(D*)
探测率D是NEP的倒数，D越大，表明探测器的探测性能越好。
比探测率D*即是化的探测率，也叫探测灵敏度。其单位为：cm·Hz1/2·W-1.
◆ 时间常数
时间常数表示探测器输出信号随入射光信号变化额速率，τ=1/(2πf)。
光电导探测器
光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。通常，凡禁带宽度合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近红外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等;在长于8μm波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等；CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。
拉曼光谱仪探测器
除了探测器类型，还需要考虑探测器的灵敏度和动态范围。灵敏度是指探测器对光信号的响应能力，通常用效率（quantum efficiency）来表示。动态范围则是指探测器可以测量的-大和信号强度之间的比值，通常用dB（分贝）来表示。在选择探测器时，需要根据测量需求和实际情况进行综合考虑。
确定光谱仪的探测器类型和灵敏度是选择适合自己的光谱仪的重要步骤之一。不同类型的探测器具有不同的优缺点，需要根据测量需求和实际情况进行选择。同时，探测器的灵敏度和动态范围也是需要考虑的因素。需要根据实际情况和测量需求进行综合考虑，以选择适合自己的光谱仪探测器。此外，需要注意光谱仪的探测器的温度控制和噪声抑制等问题，以确保测量结果的准确性和可靠性。
