5分钟前 湖北DFB激光器价格服务至上「在线咨询」[沐普科技1b75b01]内容：

DFB芯片的制作工艺非常复杂，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。

DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nm DFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。

DFB激光器的发展方向是，更宽的调谐范围和更窄的线宽，在一个DFB激光器集成两个独立的光栅，实现更宽的波长谐调范围，比如达到100nm谐调范围，以及更窄的光谱线宽，用一个DFB激光器实现检测多种气体的功能；更长的中心波长，从750nm到3500nm，并逐渐往4000nm甚至更高的中心波长发展；更高的功率，由于DFB激光器功率普遍较低，高功率能够实现长距离、多路等更广泛的应用。

DFB半导体激光器的主要封装结构：同轴尾纤封装，TO封装，蝶形封装。其中蝶形封装结构为常见。DFB激光器的主要优点是一种轴向共振器模式优于其他模式。这在所需波长处产生相对窄的单模发射峰（单纵模）。它们的单模波形在诸如气体传感和电信的应用中是特别需要的。它们本质上比大多数其他激光二极管结构更稳定，这意味着它们不会模式跳变。模跳变是法布里-珀罗激光器的一个缺点。DFB通常可以通过改变温度和注入电流实现从其中心波长起数纳米的调节。一般来说，DFB可以在10度温度漂移的情况下调谐到1nm左右。这一特性与它们的窄线宽相结合，使得DFB特别适合于需要调整波长和窄线宽以定位气体吸收线的传感应用。